STW10NK80Z
STW10NK80Z
Modèle de produit:
STW10NK80Z
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27902 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STW10NK80Z.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):160W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:497-3254-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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