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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STS26N3LLH6
STS26N3LLH6
STS26N3LLH6
Modèle de produit:
STS26N3LLH6
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23782 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STS26N3LLH6.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.7W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:497-12348-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4040pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 26A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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