STP6N95K5 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour STP6N95K5, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour STP6N95K5 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez STP6N95K5 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
STP6N95K5
- Modèle de produit:
- STP6N95K5
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- MOSFET N-CH 950V 9A TO-220
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44854 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- STP6N95K5.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220-3 |
| Séries: | SuperMESH5™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 90W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | 497-12865-5 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 42 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 950V |
| Description détaillée: | N-Channel 950V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes STP6N95K5
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement