STP2NK100Z
STP2NK100Z
Modèle de produit:
STP2NK100Z
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
59666 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STP2NK100Z.pdf

introduction

STP2NK100Z est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour STP2NK100Z, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour STP2NK100Z par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez STP2NK100Z avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (max):70W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-7518-5
STP2NK100Z-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:499pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.85A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes