STLD125N4F6AG
STLD125N4F6AG
Modèle de produit:
STLD125N4F6AG
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51630 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STLD125N4F6AG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Séries:STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):130W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:497-17147-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5600pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 120A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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