STI14NM50N est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour STI14NM50N, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour STI14NM50N par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez STI14NM50N avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
STI14NM50N
- Modèle de produit:
- STI14NM50N
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 36515 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- STI14NM50N.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAK |
| Séries: | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 320 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 90W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | 497-13534 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 816pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| Description détaillée: | N-Channel 500V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes STI14NM50N
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement