STGB40H65FB
STGB40H65FB
Modèle de produit:
STGB40H65FB
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41578 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STGB40H65FB.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 40A
Condition de test:400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:40ns/142ns
énergie de commutation:498µJ (on), 363µJ (off)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:HB
Puissance - Max:283W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:497-16977-2
STGB40H65FB-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:210nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm):160A
Courant - Collecteur (Ic) (max):80A
Email:[email protected]

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