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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STDV3055L104T4G
STDV3055L104T4G
STDV3055L104T4G
Modèle de produit:
STDV3055L104T4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57652 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STDV3055L104T4G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:104 mOhm @ 6A, 5V
Dissipation de puissance (max):1.5W (Ta), 48W (Tj)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G-ND
STDV3055L104T4G-ND
STDV3055L104T4GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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