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SSM3J56ACT,L3F
- Modèle de produit:
- SSM3J56ACT,L3F
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 54620 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM3J56ACT,L3F.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | CST3 |
| Séries: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 500mW (Ta) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-101, SOT-883 |
| Autres noms: | SSM3J56ACTL3FCT |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.2V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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