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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SQM50028EM_GE3
SQM50028EM_GE3
SQM50028EM_GE3
Modèle de produit:
SQM50028EM_GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
Quantité en stock:
48047 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SQM50028EM_GE3.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263-7
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):375W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms:SQM50028EM_GE3DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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