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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SPU02N60C3BKMA1
SPU02N60C3BKMA1
SPU02N60C3BKMA1
Modèle de produit:
SPU02N60C3BKMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51480 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SPU02N60C3BKMA1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 80µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO251-3
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):25W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:12.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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