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SIHU4N80E-GE3
- Modèle de produit:
- SIHU4N80E-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CHAN 800V TO-251
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 28802 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIHU4N80E-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | IPAK (TO-251) |
| Séries: | E |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.27 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 69W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 622pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| Description détaillée: | N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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