SI4590DY-T1-GE3 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SI4590DY-T1-GE3, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SI4590DY-T1-GE3 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SI4590DY-T1-GE3 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
SI4590DY-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI4590DY-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 56288 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI4590DY-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 57 mOhm @ 2A, 10V |
| Puissance - Max: | 2.4W, 3.4W |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SI4590DY-T1-GE3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.4A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SI4590DY-T1-GE3
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti