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SI1078X-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI1078X-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 32116 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI1078X-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 142 mOhm @ 1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 240mW (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | SI1078X-T1-GE3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.02A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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