SGP5N60RUFDTU
Modèle de produit:
SGP5N60RUFDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 8A 60W TO220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24108 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.SGP5N60RUFDTU.pdf2.SGP5N60RUFDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.8V @ 15V, 5A
Condition de test:300V, 5A, 40 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:13ns/34ns
énergie de commutation:88µJ (on), 107µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):55ns
Puissance - Max:60W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:16nC
Description détaillée:IGBT 600V 8A 60W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm):15A
Courant - Collecteur (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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