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SDT04S60
- Modèle de produit:
- SDT04S60
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 49767 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SDT04S60.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.9V @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-2-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | CoolSiC™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Autres noms: | SDT04S60IN SDT04S60X SDT04S60XK SDT04S60XTIN SDT04S60XTIN-ND SP000013822 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 200µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 4A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 150pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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