SBR4U130LP-7 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SBR4U130LP-7, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SBR4U130LP-7 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SBR4U130LP-7 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
SBR4U130LP-7
- Modèle de produit:
- SBR4U130LP-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- DIODE SBR 130V 4A 8DFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 21136 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SBR4U130LP-7.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 750mV @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 130V |
| Package composant fournisseur: | U-DFN3030-8 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | SBR® |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerUDFN |
| Autres noms: | SBR4U130LP-7DI SBR4U130LP-7DI-ND SBR4U130LP-7DITR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Super Barrier |
| Description détaillée: | Diode Super Barrier 130V 4A Surface Mount U-DFN3030-8 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 130V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 4A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SBR4U130LP-7
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement