S4K V7G est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour S4K V7G, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour S4K V7G par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez S4K V7G avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
S4K V7G
- Modèle de produit:
- S4K V7G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 35595 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- S4K V7G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.15V @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 800V |
| Package composant fournisseur: | DO-214AB (SMC) |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 1.5µs |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | DO-214AB, SMC |
| Autres noms: | S4K V7GDKR S4K V7GDKR-ND S4KV7GDKR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 800V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 4A |
| Capacité à Vr, F: | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes S4K V7G
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
S4KW4KA-1 | Semtech | DIODE GEN PURP 4KV 8A MODULE | Enquête |
|
S4KW4C-2D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 4KV 6A STD | Enquête |
 |
S4K R7G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Enquête |
|
S4KW6C-3D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 6KV 6A STD | Enquête |
|
S4KW4C-2N | Semtech | RECT ASSY -CT 12A 4KV STD | Enquête |
|
S4KW10C-5D | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE | Enquête |
|
S4KW2C-1P | Semtech | RECT ASSY -+CT 16A 2KV STD | Enquête |
|
S4K V6G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Enquête |
|
S4KW10C-5P | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | Enquête |
|
S4KW12C-6P | Semtech | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE | Enquête |
|
S4KW12C-6N | Semtech | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE | Enquête |
|
S4KW4C-2P | Semtech | RECT ASSY -+CT 12A 4KV STD | Enquête |
|
S4KW10C-5N | Semtech | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | Enquête |
|
S4KW2C-1D | Semtech | RECT ASSY DOUBLER 2KV 8A STD | Enquête |
|
S4KW16KA-4 | Semtech | DIODE GEN PURP 16KV 6A MODULE | Enquête |
|
S4KW2C-1N | Semtech | RECT ASSY -CT 16A 2KV STD | Enquête |
|
S4KW6C-3P | Semtech | RECT ASSY -+CT 12A 6KV STD | Enquête |
|
S4KW12C-6D | Semtech | DIODE GEN PURP 12KV 6A MODULE | Enquête |
|
S4KW6C-3N | Semtech | RECT ASSY -CT 12A 6KV STD | Enquête |
|
S4K M6G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Enquête |
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement