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S2MHE3_A/H
- Modèle de produit:
- S2MHE3_A/H
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 33935 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- S2MHE3_A/H.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.15V @ 1.5A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1000V |
| Package composant fournisseur: | DO-214AA (SMB) |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 2µs |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-214AA, SMB |
| Autres noms: | S2MHE3_A/H-ND S2MHE3_A/HGITR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 35 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1µA @ 1000V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1.5A |
| Capacité à Vr, F: | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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