S26KL512SDABHV030 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour S26KL512SDABHV030, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour S26KL512SDABHV030 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez S26KL512SDABHV030 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
S26KL512SDABHV030
- Modèle de produit:
- S26KL512SDABHV030
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 55503 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.S26KL512SDABHV030.pdf2.S26KL512SDABHV030.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FLASH - NOR |
| Package composant fournisseur: | 24-FBGA (6x8) |
| Séries: | HyperFlash™ KL |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 24-VBGA |
| Autres noms: | 428-3734 S26KL512SDABHV030-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 512Mb (64M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8) |
| Fréquence d'horloge: | 100MHz |
| Temps d'accès: | 96ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes S26KL512SDABHV030
Latest Nouvelles
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce