RN2112,LF(CT est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour RN2112,LF(CT, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour RN2112,LF(CT par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez RN2112,LF(CT avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
RN2112,LF(CT
- Modèle de produit:
- RN2112,LF(CT
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 57668 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RN2112,LF(CT.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SSM |
| Séries: | - |
| Résistance - Base (R1): | 22 kOhms |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-75, SOT-416 |
| Autres noms: | RN2112(T5L,F,T) RN2112(T5LFT)TR RN2112(T5LFT)TR-ND RN2112,LF(CB RN2112,LF(CTTR RN2112LF(CBTR RN2112LF(CBTR-ND RN2112LF(CTTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RN2112,LF(CT
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix