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RN2109MFV,L3F
- Modèle de produit:
- RN2109MFV,L3F
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 28959 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RN2109MFV,L3F.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | VESM |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Package / Boîte: | SOT-723 |
| Autres noms: | RN2109MFVL3F |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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