RN1442ATE85LF
Modèle de produit:
RN1442ATE85LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
47259 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RN1442ATE85LF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 3mA, 30mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:S-Mini
Séries:-
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:RN1442ATE85LFDKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:30MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 4mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):300mA
Email:[email protected]

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