RJP65T43DPQ-A0#T2
RJP65T43DPQ-A0#T2
Modèle de produit:
RJP65T43DPQ-A0#T2
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24767 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RJP65T43DPQ-A0#T2.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 20A
Condition de test:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:35ns/105ns
énergie de commutation:170µJ (on), 130µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247A
Séries:-
Puissance - Max:150W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench
gate charge:69nC
Description détaillée:IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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