RJP65T43DPQ-A0#T2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro RJP65T43DPQ-A0#T2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro RJP65T43DPQ-A0#T2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si RJP65T43DPQ-A0#T2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
RJP65T43DPQ-A0#T2
- Part Number:
- RJP65T43DPQ-A0#T2
- Výrobce:
- Renesas Electronics America
- Popis:
- IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 24767 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- RJP65T43DPQ-A0#T2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 20A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 35ns/105ns |
| přepínání energie: | 170µJ (on), 130µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247A |
| Série: | - |
| Power - Max: | 150W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench |
| Gate Charge: | 69nC |
| Detailní popis: | IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RJP65T43DPQ-A0#T2
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS