RJH60D7DPQ-E0#T2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour RJH60D7DPQ-E0#T2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour RJH60D7DPQ-E0#T2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez RJH60D7DPQ-E0#T2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
RJH60D7DPQ-E0#T2
- Modèle de produit:
- RJH60D7DPQ-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics America
- La description:
- IGBT 600V 90A 300W TO-247
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 50145 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RJH60D7DPQ-E0#T2.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 50A |
| Condition de test: | 300V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 60ns/190ns |
| énergie de commutation: | 1.1mJ (on), 600µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 100ns |
| Puissance - Max: | 300W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Autres noms: | RJH60D7DPQE0T2 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench |
| gate charge: | 130nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247 |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 90A |
| Numéro de pièce de base: | RJH60D |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RJH60D7DPQ-E0#T2
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti