RC28F256P30BFE est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour RC28F256P30BFE, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour RC28F256P30BFE par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez RC28F256P30BFE avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
RC28F256P30BFE
- Modèle de produit:
- RC28F256P30BFE
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 58554 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RC28F256P30BFE.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 100ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 2 V |
| La technologie: | FLASH - NOR |
| Package composant fournisseur: | 64-EasyBGA (10x13) |
| Séries: | StrataFlash™ |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 64-TBGA |
| Autres noms: | 557-1555 RC28F256P30BFE-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 256Mb (16M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 52MHz 100ns 64-EasyBGA (10x13) |
| Fréquence d'horloge: | 52MHz |
| Numéro de pièce de base: | 28F256P30 |
| Temps d'accès: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RC28F256P30BFE
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement