RB085BGE-40TL est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour RB085BGE-40TL, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour RB085BGE-40TL par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez RB085BGE-40TL avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
RB085BGE-40TL
- Modèle de produit:
- RB085BGE-40TL
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41086 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RB085BGE-40TL.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 550mV @ 5A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 40V |
| Package composant fournisseur: | TO-252GE |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | RB085BGE-40TLCT |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Schottky |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 10A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 200µA @ 40V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 10A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RB085BGE-40TL
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires