Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6020ANX
R6020ANX
R6020ANX
Modèle de produit:
R6020ANX
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43743 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
R6020ANX.pdf
Enquête

introduction

R6020ANX est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour R6020ANX, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour R6020ANX par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez R6020ANX avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:220 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2040pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 20A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes R6020ANX

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
R6020625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB Enquête
R6020ENZ1C9 Image R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Enquête
R6020KNZ1C9 Image R6020KNZ1C9 LAPIS Semiconductor NCH 600V 20A POWER MOSFET Enquête
R6020425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB Enquête
R6020822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Enquête
R6020ENX Image R6020ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Enquête
R6020KNJTL Image R6020KNJTL LAPIS Semiconductor NCH 600V 20A POWER MOSFET Enquête
R6020FNX Image R6020FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Enquête
R6020622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB Enquête
R6020835ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB Enquête
R6020ANJTL Image R6020ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Enquête
R6020825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Enquête
R6020422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB Enquête
R6020635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB Enquête
R6020ENZC8 Image R6020ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Enquête
R6020435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB Enquête
R6020ENJTL Image R6020ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPT Enquête
R6020ANZC8 Image R6020ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Enquête
R6020FNJTL Image R6020FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPT Enquête
R6020KNX Image R6020KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Enquête

Latest Nouvelles