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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6012FNJTL
R6012FNJTL
R6012FNJTL
Modèle de produit:
R6012FNJTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
40114 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.R6012FNJTL.pdf2.R6012FNJTL.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:LPTS (SC-83)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:510 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:R6012FNJTLTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 12A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS (SC-83)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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