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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6009KNX
R6009KNX
R6009KNX
Modèle de produit:
R6009KNX
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45891 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
R6009KNX.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:535 mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipation de puissance (max):48W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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