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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMV31XN,215
PMV31XN,215
PMV31XN,215
Modèle de produit:
PMV31XN,215
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35272 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMV31XN,215.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-236AB (SOT23)
Séries:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):280mW (Tj)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:568-2354-2
934057678215
PMV31XN T/R
PMV31XN T/R-ND
PPMV31XN215
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 5.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.9A (Tc)
Email:[email protected]

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