PMDT290UNEYL est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour PMDT290UNEYL, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour PMDT290UNEYL par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez PMDT290UNEYL avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
PMDT290UNEYL
- Modèle de produit:
- PMDT290UNEYL
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- PMDT290UNE/SOT666/SOT6
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 25944 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- PMDT290UNEYL.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | SOT-666 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Puissance - Max: | 500mW (Ta) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | 934065732315 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 83pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.68nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-666 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 800mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes PMDT290UNEYL
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB95XNE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | Enquête |
 |
PMDXB1200UPEZ | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | Enquête |
|
PMDXB950UPEZ | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Enquête |
|
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Enquête |
 |
PMDT290UNE,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | Enquête |
|
PMDXB600UNELZ | Nexperia | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | Enquête |
|
PMDPB70XPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | Enquête |
|
PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Enquête |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | Enquête |
|
PMDPB70EN,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Enquête |
|
PMDXB950UPELZ | Nexperia | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | Enquête |
|
PMDT290UCE,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | Enquête |
|
PMDXB600UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Enquête |
|
PMDT670UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | Enquête |
 |
PMDPB70XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN | Enquête |
|
PMDPB80XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 | Enquête |
|
PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Enquête |
|
PMDPB95XNE2X | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON | Enquête |
 |
PMDPB760ENX | WeEn Semiconductors Co., Ltd | MOSFET AXIAL | Enquête |
|
PMDPB85UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON | Enquête |
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix