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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115
Modèle de produit:
PMDT290UNE,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27208 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMDT290UNE,115.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-666
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Puissance - Max:500mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:1727-1333-1
568-10766-1
568-10766-1-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:83pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 500mW Surface Mount SOT-666
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:800mA
Email:[email protected]

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