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PH20100S,115
- Modèle de produit:
- PH20100S,115
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 55528 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- PH20100S,115.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Séries: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 62.5W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Autres noms: | 1727-3049-2 568-2175-2 568-2175-2-ND 934057789115 PH20100S T/R |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2264pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | N-Channel 100V 34.3A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 34.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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