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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PEMD19,115
PEMD19,115
PEMD19,115
Modèle de produit:
PEMD19,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
26754 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PEMD19,115.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-666
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:934058924115
PEMD19 T/R
PEMD19 T/R-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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