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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTD114EQAZ
PDTD114EQAZ
PDTD114EQAZ
Modèle de produit:
PDTD114EQAZ
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51254 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PDTD114EQAZ.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:DFN1010D-3
Séries:Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:325mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-XDFN Exposed Pad
Autres noms:934069269147
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:210MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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