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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > PDTD114EQAZ
PDTD114EQAZ
PDTD114EQAZ
Artikelnummer:
PDTD114EQAZ
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
51254 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PDTD114EQAZ.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:DFN1010D-3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:325mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen:934069269147
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:210MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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