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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTA123YU,115
PDTA123YU,115
PDTA123YU,115
Modèle de produit:
PDTA123YU,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31067 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PDTA123YU,115.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SOT-323-3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-70, SOT-323
Autres noms:934058792115
PDTA123YU T/R
PDTA123YU T/R-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:PDTA123
Email:[email protected]

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