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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > PBSS5350S,126
PBSS5350S,126
PBSS5350S,126
Modèle de produit:
PBSS5350S,126
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
TRANS PNP 50V 3A TO92
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
34391 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PBSS5350S,126.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 200mA, 2A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-92-3
Séries:-
Puissance - Max:830mW
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Autres noms:934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:100MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):3A
Numéro de pièce de base:PBSS5350
Email:[email protected]

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