NVTFS5C680NLTAG
NVTFS5C680NLTAG
Modèle de produit:
NVTFS5C680NLTAG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 7.82A 20A 8WDFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20016 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NVTFS5C680NLTAG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):3W (Ta), 20W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:NVTFS5C680NLTAGOSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:327pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 7.82A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.82A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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