NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
Modèle de produit:
NTZD5110NT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48866 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTZD5110NT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-563
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:NTZD5110NT1G-ND
NTZD5110NT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:45 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:24.5pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:294mA
Numéro de pièce de base:NTZD5110N
Email:[email protected]

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