NTD4860NT4G
NTD4860NT4G
Modèle de produit:
NTD4860NT4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41919 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTD4860NT4G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.28W (Ta), 50W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:NTD4860NT4G-ND
NTD4860NT4GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1308pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10.4A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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