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NSBC115EPDXV6T1G
- Modèle de produit:
- NSBC115EPDXV6T1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- SS SOT563 RSTR XSTR TR
- Quantité en stock:
- 45986 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSBC115EPDXV6T1G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SOT-563 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 100 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 100 kOhms |
| Puissance - Max: | 357mW |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 52 Weeks |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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