NGTD9R120F2WP
Modèle de produit:
NGTD9R120F2WP
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21408 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NGTD9R120F2WP.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:2.6V @ 15A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:Die
La vitesse:-
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Die
Température d'utilisation - Jonction:175°C (Max)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 1200V Surface Mount Die
Courant - fuite, inverse à Vr:1µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):-
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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