NDS352AP
Modèle de produit:
NDS352AP
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24917 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.NDS352AP.pdf2.NDS352AP.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SuperSOT-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max):500mW (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:NDS352AP-ND
NDS352APCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:135pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

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