NDF05N50ZG
NDF05N50ZG
Modèle de produit:
NDF05N50ZG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
30467 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NDF05N50ZG.pdf

introduction

NDF05N50ZG est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour NDF05N50ZG, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour NDF05N50ZG par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez NDF05N50ZG avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Dissipation de puissance (max):30W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:NDF05N50ZG-ND
NDF05N50ZGOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:632pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 5.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes