MUN5137DW1T1
MUN5137DW1T1
Modèle de produit:
MUN5137DW1T1
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
26567 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MUN5137DW1T1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:MUN5137DW1T1OS
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:MUN51**DW1T
Email:[email protected]

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