MUN5137DW1T1
MUN5137DW1T1
Artikelnummer:
MUN5137DW1T1
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
26567 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
MUN5137DW1T1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):22 kOhms
Widerstand - Basis (R1):47 kOhms
Leistung - max:250mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen:MUN5137DW1T1OS
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:MUN51**DW1T
Email:[email protected]

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