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MT3S113TU,LF
- Modèle de produit:
- MT3S113TU,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 47788 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MT3S113TU,LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 5.3V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | UFM |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | MT3S113TU,LF(B MT3S113TULF MT3S113TULF(B MT3S113TULFTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.45dB @ 1GHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 12.5dB |
| Fréquence - Transition: | 11.2GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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